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Preliminary Technical Information
BiMOSFET TM Monolithic
Bipolar MOS Transistor
IXBN75N170
V CES
I C90
V CE(sat)
= 1700V
= 75A
≤ 3.1V
SOT-227B, miniBLOC
E153432
Symbol
V CES
V CGR
V GES
Test Conditions
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GE = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
1700
1700
±20
V
V
V
G
E
V GEM
I C25
I C90
Transient
T C = 25°C
T C = 90°C
±30
145
75
V
A
A
C
E
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
T C = 25°C, 1ms
V GE = 15V, T VJ = 125°C, R G = 1 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10
50/60Hz t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
680
I CM = 150
V CE < 0.8 ? V CES
625
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
A
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
International Standard Package
High Blocking Voltage
Isolation Voltage 3000 V~
High Current Handling Capability
Anti-Parallel Diode
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Easy to Mount with 2 Screws
Intergrated Diode Can Be Used for
Protection
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV CES
I C
= 250 μ A, V GE = 0V
1700
V
Capacitor Discharge
V GE(th)
I C
= 1.5mA, V CE = V GE
2.5
5.5
V
AC Switches
I CES
I GES
V CE = 0.8 ? V CES , V GE = 0V
V CE = 0V, V GE = ± 20V
T J = 125 ° C
25 μ A
2 mA
±100 nA
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
UPS
AC Motor Drives
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15V, Note 1
T J = 125 ° C
2.6
3.1
3.1
V
V
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100168A(10/09)
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相关PDF资料
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相关代理商/技术参数
IXBN75N170A 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1700V 6.00 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXBOD 1-08 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXBOD1-06 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 600V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-07 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 700V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-08 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 800V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-09 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 900V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-10 功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-12 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes